栏目: 其他说说 来源: www.jsqq.net 时间: 2022-08-12 00:00
1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术：
2.有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)及液晶显示器(liquid crystal display，lcd)，依旧是当今显示器研究领域的热点。在现有oled及lcd的阵列基板中设置的驱动电路区域占比较大，难以实现屏幕领域中对窄边框的需要。
技术实现要素：
3.本技术提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，能够提高驱动晶体管的栅极电位的稳定性，改善显示效果。
4.第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底和设置于所述衬底一侧的晶体管，所述晶体管包括：
5.有源层，包括沟道区以及在第一方向上分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；
6.栅极，位于所述有源层背离所述衬底的一侧，且所述栅极在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
7.所述沟道区包括第一区、及在所述第一区上沿所述第一方向设置的第二区，所述第二区及所述第一区在所述衬底上正投影与所述栅极在所述衬底上正投影相交叠。
8.第二方面，基于同一发明构思，本技术实施例提供一种显示面板，其包括如第一方面实施例的阵列基板。
9.第三方面，本技术实施例提供一种显示装置，其包括如第二方面实施例的显示面板。
10.根据本技术实施例的阵列基板、显示面板及显示装置，一方面，通过阵列基板中边框处的tft(薄膜晶体管，thin film transistor)器件的沟道区和/或栅极的异形设计，能够使栅极在沟道区内的覆盖区域显著提升，在满足同等充电能力的情况下，能够对tft器件在栅极延伸方向及沟道区宽度方向进行压缩，满足窄边框结构的需求，另一方面，栅极在沟道区内的覆盖区域的提升，显著提高所得tft器件的充电能力，使其在满足区域占比较少的条件下，也能够快速充电，进而不会影响各像素电路的驱动效果，满足对屏幕超高频能力日益增长的需求。
附图说明
11.通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
12.图1示出本技术一种实施例提供的晶体管的截面结构示意图；
13.图2示出本技术一种实施例提供的晶体管的俯视结构示意图；
14.图3示出本技术另一种实施例提供的晶体管的俯视结构示意图；
15.图4示出本技术一种实施例提供的第二区的俯视结构示意图；
16.图5示出本技术另一种实施例提供的第二区的俯视结构示意图；
17.图6示出本技术又一种实施例提供的第二区的俯视结构示意图；
18.图7示出本技术再一种实施例提供的第二区的俯视结构示意图；
19.图8示出本技术又一种实施例提供的晶体管的俯视结构示意图；
20.图9示出本技术再一种实施例提供的晶体管的俯视结构示意图；
21.图10示出本技术一种实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；
22.图11示出图10中a处的放大结构示意图；
23.图12示出本技术一种实施例提供的显示面板的结构示意图；
24.图13示出本技术一种实施例提供的显示装置的结构示意图。
25.附图中：
26.11、晶体管；11、有源层；121、源区；122、漏区；123、沟道区；1231、第一区；1232、第二区；13、栅极；131、第一部；132、第二部；14、源电极；15、漏电极；16、衬底；
27.10、阵列基板；101、第一区域；102、第二区域；104、数据线；105、扫描线；106、第一电极；107、第一控制信号线；108、第二控制信号线；3、驱动芯片；
28.100、显示面板；200、显示装置。
